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DD750S65K3

更新时间： 2024-11-25 17:54:19
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英飞凌 - INFINEON 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 676K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 750A, 6500V V(RRM), Silicon, MODULE-4

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DD750S65K3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：MODULE-4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.59
其他特性：UL APPROVED应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：3.5 VJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：2相数：1
端子数量：4最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：750 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：IEC-1287; IEC-61140最大重复峰值反向电压：6500 V
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DD750S65K3 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
DD750S65K3  
高绝缘等级模块  
highꢀinsulatedꢀmodule  
初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 6500V  
IC nom = 750A / ICRM = 1500A  
典型应用  
TypicalꢀApplications  
• MediumꢀVoltageꢀConverters  
• TractionꢀDrives  
• 中压变流器  
• 牵引变流器  
机械特性  
MechanicalꢀFeatures  
• 碳化硅铝（AlSiC）基板提供更高的温度循环能力  
• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling  
Capability  
• 扩大存储温度范围至ꢀTstgꢀ=ꢀ-55°C  
• Extended Storage Temperature down to Tstg =  
-55°C  
• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• 加强绝缘封装，10.2kVꢀ交流ꢀ1分钟  
• Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC  
1min  
• 高爬电距离和电气间隙  
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀDTS  
approvedꢀby:ꢀDTS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ2.0  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1
1234567

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与DD750S65K3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DD750S65K3NOSA1 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 750A, 6500V V(RRM), Silicon, MODULE-4
DD750S65K3T INFINEON

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 		IGBT-Module
DD76N12K INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 76A, 1200V V(RRM), Silicon,
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