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DD800S17H4B2BOSA1

更新时间： 2024-11-25 21:13:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
7页	864K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 800A, 1700V V(RRM), Silicon, MODULE-4

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DD800S17H4B2BOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	MODULE-4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.69	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.1 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	800 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	1700 V	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DD800S17H4B2BOSA1 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

DD800S17H4_B2

初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1700V

I_{C nom}= 800A / I_CRM= 1600A

典型应用

TypicalꢀApplications

• 3-Level-Applications

• ActiveꢀFrontendꢀ(energyꢀrecovery)

• HighꢀPowerꢀConverters

• Multiꢀlevelꢀinverter

• 三电平应用

• 有源前级（能量回馈）

• 大功率变流器

• 多电平逆变器

• 牵引变流器

• TractionꢀDrives

• 风力发电机

• WindꢀTurbines

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• 提高工作结温ꢀT_vjꢀop

• 高电流密度

• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT_vjꢀop

• HighꢀCurrentꢀDensity

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀ交流ꢀꢀꢀ1分钟ꢀꢀꢀ绝缘

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation

• 碳化硅铝（AlSiC）基板提供更高的温度循环能力

• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling

Capability

• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ400

• 高爬电距离和电气间隙

• 高功率循环和温度循环能力

• 高功率密度

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances

• HighꢀPowerꢀandꢀThermalꢀCyclingꢀCapability

• HighꢀPowerꢀDensity

• IHMꢀBꢀ封装

• IHMꢀBꢀHousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀPL

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.2

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DD800S17H4B2BOSA2	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 800A, 1700V V(RRM), Silicon, MODULE-4
DD800S17K3_B2	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
DD800S17K3B2NOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 800A, 1700V V(RRM), Silicon, MODULE-4
DD800S17K6C_B2	INFINEON	获取价格	RECTIFIER DIODE
DD800S17K6CB2NOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 800A, 1700V V(RRM), Silicon, MODULE-4
DD800S17K6CB2V	ETC	获取价格	IGBT Module
DD800S33K1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 800A, 3300V V(RRM), Silicon,
DD800S33K2	ETC	获取价格	IGBT Module
DD800S33K2C	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 800A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-4
DD800S33K2CB3S2NDSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,

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