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DD200S33K2CNOSA1

更新时间： 2024-09-21 14:51:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	211K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 200A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-3

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DD200S33K2CNOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	MODULE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	5.79	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	3.5 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	200 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	3300 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DD200S33K2CNOSA1 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

DD200S33K2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= -25°C

3300

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

P_RQM

t_{on min}

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

200

PeriodischerꢀSpitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

t_P= 1 ms

400

14,0

400

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

T_vj= 125°C

ꢀ kA²s

ꢀ kW

ꢀ µs

Spitzenverlustleistung

Maximumꢀpowerꢀdissipation

Mindesteinschaltdauer

Minimumꢀturn-onꢀtime

10,0

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 200 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,80 3,50

V_F

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 200 A, - di_F/dt = 1100 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

275

325

V_R= 1800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

I_RM

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 200 A, - di_F/dt = 1100 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

120

220

µC

V_R= 1800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

Q_r

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 200 A, - di_F/dt = 1100 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

125

255

V_R= 1800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

108 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

33,0

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

125

°C

preparedꢀby:ꢀSB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-04-13

revision:ꢀV2.3

approvedꢀby:ꢀDTS

12 3 4 5 6

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与DD200S33K2CNOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DD200S65K1	INFINEON	获取价格	IGBT-Module
DD201	WTE	获取价格	20A 8.4mm/9.5mm DISH DIODE
DD201R	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PAC
DD201S	WTE	获取价格	20A 8.4mm/9.5mm DISH DIODE
DD201S	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PAC
DD201SR	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PAC
DD202	WTE	获取价格	20A 8.4mm/9.5mm DISH DIODE
DD202	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PAC
DD2-0206-T3	FOXCONN	获取价格	D Type Connector, 15 Contact(s), Male, 0.109 inch Pitch, Solder Lug Terminal, #4-40, Recep
DD202R	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PAC

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