DA811A/K

更新时间： 2024-09-17 09:57:23

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管
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2页	113K
描述
Rectifier Arrays

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DA811A/K 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	Base Number Matches：	1

DA811A/K 数据手册

DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W)

Rectifier Arrays

Gleichrichtersätze

Version 2011-07-08

Nominal power dissipation

Nenn-Verlustleistung

1.2 W

100...1000 V

2.6^±0.2

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Type / Typ

9-pin Plastic case

9-Pin Kunststoffgehäuse

23 x 2.6 x 4.5 [mm]

0.6 g

0.25

Weight approx. – Gewicht ca.

8 x 2.54

Standard packaging bulk

Dimensions - Maße [mm]

Standard Lieferform lose im Karton

“DA811K...DA8110K”

common cathodes / gemeinsame Kathoden

“DA811A...DA8110A”

common anodes / gemeinsame Anoden

Maximum ratings

Grenzwerte

Surge peak reverse voltage

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V] ¹)

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

DA811A/K

DA814A/K

DA8110A/K

100

400

120

480

1000

1200

Max. power dissipation – max. Verlustleistung

T_A= 25°C

P_tot

1.2 W ¹)

Max. average forward rectified current, R-load

for one diode operation only

I_FAV

600 mA ²)

150 mA ²)

for simultaneous operation

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

für eine einzelne Diode

T_A= 25°C

I_FAV

600 mA ²)

150 mA ²)

bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

I_FSM

30 A

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+150°C

50...+150°C

Per diode – Pro Diode

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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