DA811A

更新时间： 2024-11-08 22:29:19

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管测试 IOT
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2页	149K
描述
Rectifier Arrays

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DA811A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSIP-T9	针数：	9
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON CATHODE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T9
湿度敏感等级：	1	元件数量：	8
端子数量：	9	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	最大输出电流：	0.6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.35 µs	反向测试电压：	100 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DA811A 数据手册

DA 811 A/K … DA 8110 A/K (1.2 W)

Rectifier Arrays

Gleichrichter Sätze

Nominal power dissipation

1.2 W

Nenn-Verlustleistung

2.6

23^±0.2

Repetitive peak reverse voltage

100...1000 V

Periodische Spitzensperrspannung

9 Pin-Plastic case

23 x 2.6 x 4.5 [mm]

Ø 0.5

9 Pin-Kunststoffgehäuse

8 x 2.54

Weight approx. – Gewicht ca.

0.6 g

Standard packaging: bulk

Standard Lieferform: lose im Karton

see page 22

s. Seite 22

Dimensions / Maße in mm

"DA 811 A...8110 A": com. anodes / gem. Anoden

"DA 811 K...8110 K" : com. cathodes / gem. Kathoden

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

V_RRM[V]

DA 811 A/K

DA 814 A/K

DA 8110 A/K

100

120

480

400

1000

1200

Max. average forward rectified current, R-load,

for one diode operation only

T_A= 25ꢀC

T_U= 25ꢀC

T_A= 25ꢀC

I_FAV

600 mA ¹)

150 mA ¹)

per diode for simultaneous operation

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,

für eine einzelne Diode

I_FAV

600 mA ¹)

150 mA ¹)

pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

I_FSM

30 A

)

Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten

368

28.02.2002

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