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D690S20T

更新时间： 2024-11-12 14:50:31

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英飞凌 - INFINEON		/
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6页	164K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1020A, 2000V V(RRM), Silicon,

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D690S20T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.7 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	27500 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	690 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	2000 V	最大反向恢复时间：	9 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

D690S20T 数据手册

Datenblatt / Data sheet

D690S

Schnelle Diode

Fast Diode

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2000

2200

2400

2600

Kenndaten

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltages

T_vj= -25°C... T_{vj max}

V_RRM

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

1600

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

T_C= 100 °C

690

average on-state current

870 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

1360 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

14000 A

11500 A

33400 A

27500 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25°C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

T_vj= 25°C, t_P= 1 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 1 ms

I_FSM

980 10³A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25°C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

T_vj= 25°C, t_P= 1 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 1 ms

I²t

661 10³A²s

558 10³A²s

378 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 3000A

T_vj= T_{vj max}

v_F

2,7

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

1,0

0,5

mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

-1,575E-01

6,000E-04

2,421E-01

-1,582E-02

Durchlaßkennlinie

200 A ≤ i_F≤ 3000 A

on-state characteristic

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

typ.

16,5 V

Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung

peak value of forward recovery voltage

DIN IEC 747-2

V_FRM

t_fr

T_vj= T_{vj max}, di_F/dt = 50A/µs, v_R= 0V

typ.

6,2 µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

DIN IEC 747-2, Methode / Method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM= 3000A

di_F/dt = 50A/µs, v_R= 0V

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= 25°C , v_R= v_RRM

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

25 mA

250 mA

155 A

970 µAs

9 µs

Rückstromspitze

DIN IEC 747-2, T_vj= T_{vj max}

I_RM

peak reverse recovery current

i_FM= 1020A, -di_F/dt = 50A/µs

_R≤ 0,5V_RRM, v_RM= 0,8V_RRM

DIN IEC 747-2, T_vj= T_{vj max}

_FM= 1020A, -di_F/dt = 50A/µs

_R≤ 0,5V_RRM, v_RM= 0,8V_RRM

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

Sperrverzögerungszeit

reverse recovery time

DIN IEC 747-2, T_vj= T_{vj max}

i_FM= 1020A, -di_F/dt = 50/µs

_R≤ 0,5V_RRM, v_RM= 0,8V_RRM

H.Sandmann

date of publication:

revision:

2008-09-15

3.0

prepared by:

approved by: M.Leifeld

Seite/page

1/6

IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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D690S21	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D690S22	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1020A, 2200V V(RRM), Silicon,
D690S22T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1020A, 2200V V(RRM), Silicon,
D690S22TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D690S24	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1020A, 2400V V(RRM), Silicon,
D690S24T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1020A, 2400V V(RRM), Silicon,
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