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D690S26TBOSA1

更新时间： 2024-11-13 09:43:47

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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6页	164K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 690A, 2600V V(RRM), Silicon,

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D690S26TBOSA1 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.62	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	27500 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	690 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	最大重复峰值反向电压：	2600 V
最大反向恢复时间：	9 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

D690S26TBOSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

D690S

Schnelle Diode

Fast Diode

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2000

2200

2400

2600

Kenndaten

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltages

T_vj= -25°C... T_{vj max}

V_RRM

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

1600

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

T_C= 100 °C

690

average on-state current

870 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

1360 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

14000 A

11500 A

33400 A

27500 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25°C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

T_vj= 25°C, t_P= 1 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 1 ms

I_FSM

980 10³A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25°C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

T_vj= 25°C, t_P= 1 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 1 ms

I²t

661 10³A²s

558 10³A²s

378 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 3000A

T_vj= T_{vj max}

v_F

2,7

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

1,0

0,5

mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

-1,575E-01

6,000E-04

2,421E-01

-1,582E-02

Durchlaßkennlinie

200 A ≤ i_F≤ 3000 A

on-state characteristic

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

typ.

16,5 V

Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung

peak value of forward recovery voltage

DIN IEC 747-2

V_FRM

t_fr

T_vj= T_{vj max}, di_F/dt = 50A/µs, v_R= 0V

typ.

6,2 µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

DIN IEC 747-2, Methode / Method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM= 3000A

di_F/dt = 50A/µs, v_R= 0V

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= 25°C , v_R= v_RRM

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

25 mA

250 mA

155 A

970 µAs

9 µs

Rückstromspitze

DIN IEC 747-2, T_vj= T_{vj max}

I_RM

peak reverse recovery current

i_FM= 1020A, -di_F/dt = 50A/µs

_R≤ 0,5V_RRM, v_RM= 0,8V_RRM

DIN IEC 747-2, T_vj= T_{vj max}

_FM= 1020A, -di_F/dt = 50A/µs

_R≤ 0,5V_RRM, v_RM= 0,8V_RRM

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

Sperrverzögerungszeit

reverse recovery time

DIN IEC 747-2, T_vj= T_{vj max}

i_FM= 1020A, -di_F/dt = 50/µs

_R≤ 0,5V_RRM, v_RM= 0,8V_RRM

H.Sandmann

date of publication:

revision:

2008-09-15

3.0

prepared by:

approved by: M.Leifeld

Seite/page

1/6

IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D690S26THOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 690A, 2600V V(RRM), Silicon,
D690S26TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D6921Z0V350RA10	ETC	获取价格	14mm Varistor Radial Leaded
D6921Z0V400RA12	ETC	获取价格	14mm Varistor Radial Leaded
D6921Z0V500RA06	ETC	获取价格	14mm Varistor Radial Leaded
D6921ZOV110RA04	ETC	获取价格
D6921ZOV121RA09	ETC	获取价格
D6921ZOV131RA09	ETC	获取价格
D6921ZOV131RD09	ETC	获取价格
D6921ZOV140RA04	ETC	获取价格

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