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D45C8-DR6269

更新时间: 2024-11-01 05:15:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 77K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

D45C8-DR6269 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.76
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):4 A
基于收集器的最大容量:125 pF集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:30 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

D45C8-DR6269 数据手册

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