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D45C

更新时间： 2024-02-07 03:55:40

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	42K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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D45C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	CASE 221A-09, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

D45C 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

D45C Series

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type D44C Series

·Very low collector saturation voltage

·Fast switching

APPLICATIONS

·Designed for various specific and

general purpose application

·Shunt and switching regulators

·Low and high frequency inverters

converters and etc.

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-40

-55

-70

-90

-30

-45

-60

-80

-5

UNIT

D45C1,2,3

D45C4,5,6

D45C7,8,9

D45C10,11,12

D45C1,2,3

D45C4,5,6

D45C7,8,9

D45C10,11,12

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current -peak

Base current (DC)

Open collector

-4

-6

-1

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_stg

12 3

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