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D45C1

更新时间: 2024-01-16 11:52:59
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220

D45C1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.46
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:140 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):30 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

D45C1 数据手册

 浏览型号D45C1的Datasheet PDF文件第2页 

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