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D45C1

更新时间： 2024-01-24 15:04:39

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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D45C1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	140 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

D45C1 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

D45C Series

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type D44C Series

·Very low collector saturation voltage

·Fast switching

APPLICATIONS

·Designed for various specific and

general purpose application

·Shunt and switching regulators

·Low and high frequency inverters

converters and etc.

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-40

-55

-70

-90

-30

-45

-60

-80

-5

UNIT

D45C1,2,3

D45C4,5,6

D45C7,8,9

D45C10,11,12

D45C1,2,3

D45C4,5,6

D45C7,8,9

D45C10,11,12

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current -peak

Base current (DC)

Open collector

-4

-6

-1

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_stg

12 3

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