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D44H11FP

更新时间： 2024-02-01 16:00:59

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	177K
描述
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

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D44H11FP 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	50 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

D44H11FP 数据手册

Spec. No. : C606FP

Issued Date : 2005.03.29

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 3/4

Current Gain vs Collector Current

Saturation Voltage vs Collector Current

10000

1000

100

1000

100

CE(SAT)

VCE = 5V

VCE = 2V

IC = 20IB

IC = 50IB

VCE = 1V

IC = 10IB

100

1000

10000

100

1000

10000

Collector Current---I_C(mA)

Saturation Voltage vs Collector Current

Power Derating Curve

10000

1000

100

2.5

VCE(SAT) @ IC = 10IB

1.5

0.5

100

150

200

100

1000

10000

Ambient Temperature---T_A(℃)

Collector Current---I_C(mA)

Power Derating Curve

100

150

200

Case Temperature---T_C(℃)

D44H11FP

CYStek Product Specification

1 234

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D44H11L	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
D44H11N	MOTOROLA	10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
D44H11T	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格