5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 基于收集器的最大容量： | 130 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D44H2-6265 | RENESAS |
获取价格 |
10A, 30V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D44H2J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| D44H3 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W) |
|
| D44H4 | BOCA |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| D44H4 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W) |
|
| D44H4 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 45V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| D44H4-6226 | RENESAS |
获取价格 |
10A, 45V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D44H4J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| D44H5 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W) |
|
| D44H5 | BOCA |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
