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D2084UK

更新时间： 2024-11-23 22:23:59
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1页 17K
描述
TetraFET 100W - 28V - 900MHz

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D2084UK 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4JESD-609代码：e4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：GOLD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

D2084UK 数据手册

  
D2084UK  
MECHANICAL DATA  
TetraFET  
100W – 28V – 900MHz  
DIM  
A
B
C
D
E
mm  
19.05  
10.77  
45°  
Tol.  
0.50  
0.13  
5°  
Inches  
0.75  
Tol.  
B
G
(typ)  
C
0.020  
0.005  
5°  
(2 pls)  
0.424  
45°  
2
3
4
9.78  
5.71  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
MAX  
0.02  
0.13  
0.13  
0.50  
0.13  
0.08  
0.385  
0.225  
1.100  
0.060R  
0.400  
0.875  
0.005  
0.107  
0.067  
0.200  
1.340  
0.062R  
0.005  
0.005  
0.005  
0.005  
0.005  
MAX  
0.001  
0.005  
0.005  
0.020  
0.005  
0.003  
1
P
(2 pls)  
H
D
A
F
27.94  
1.52R  
10.16  
22.22  
0.13  
2.72  
1.70  
5.08  
34.03  
1.57R  
G
H
I
J
K
M
N
O
P
5
E
(4 pls)  
F
I
PIN 1  
PIN 3  
PIN 5  
SOURCE (COMMON)  
DRAIN 2  
PIN 2  
DRAIN 1  
PIN 4  
GATE 2  
N
M
O
J
K
GATE 1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
PER SIDE  
BV  
Drain–Source Breakdown Voltage  
I = 100mA  
65  
V
DSS  
DSS  
GSS  
I
I
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate Leakage Current  
V = 28V  
V = 20V  
I = 10mA  
4
1
7
mA  
µA  
V
V
Gate Threshold Voltage  
1
GS(th)  
V = 10V  
I = 3A  
g
*
3.2  
mhos  
m
T = 300µS  
C
C
C
Input Capacitance  
V
= 0V  
V
= -5V  
GS  
170  
68  
pF  
pF  
pF  
iss  
DS  
Output Capacitance  
V = 28V  
V = 28V  
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Threshold Matching Voltage  
Between Sides  
3.6  
rss  
V
I = 10mA  
D
GS(th)match  
0.1  
V
V
= V  
GS  
DS  
TOTAL DEVICE  
P
= 100W  
f = 900MHz  
V = 28V  
I
= 3A  
O
DQ  
Thermal Resistance = 0.6 °C / W  
HAZARDOUS MATERIAL WARNING  
The ceramic portion of the device between leads and metal flange is beryllium oxide. Beryllium oxide dust is highly  
toxic and care must be taken during handling and mounting to avoid damage to this area.  
THESE DEVICES MUST NEVER BE THROWN AWAY WITH GENERAL INDUSTRIAL OR DOMESTIC WASTE.  
Prelim. 5/96  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  
1

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