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D2089UK

更新时间： 2024-11-21 14:55:15

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描述
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

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D2089UK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	0.5 pF	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	JESD-609代码：	e4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	GOLD	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

D2089UK 数据手册

TetraFET

D2089UK

ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET

MECHANICAL DATA

GOLD METALLISED

MULTI-PURPOSE SILICON

DMOS RF FET

1W – 28V – 2GHz

SINGLE ENDED

(2 pls)

FEATURES

(

2 p

)

• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN

• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS

PIN 1

SOURCE

PIN 2

PIN 4

GATE

DRAIN

PIN 3

• LOW C

rss

• SIMPLE BIAS CIRCUITS

• LOW NOISE

DIM

Millimetres

25.40

45°

0.76

5.21 DIA

1.02

Tol.

0.25

5°

0.05

0.13

0.02

0.13

REF

Inches

1.00

45°

0.030

0.205

0.040

0.005

0.125

Tol.

0.010

5°

0.002

0.005

0.001

0.005

REF

• HIGH GAIN

0.13

3.18

APPLICATIONS

• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS

from DC to 2 GHz

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Power Dissipation

65V

Drain – Source Breakdown Voltage

Gate – Source Breakdown Voltage

Drain Current

DSS

±20V

GSS

D(sat)

Storage Temperature

–65 to 150°C

200°C

stg

Maximum Operating Junction Temperature

Prelim. 5/96

Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.

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