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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-PDIP-T8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 0.37 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 最大反向恢复时间： | 0.3 µs |
| 反向测试电压： | 200 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| D1LNK60Z | MICROSEMI | N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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| D1M-SERIES | ETC | Interface IC |
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| D1N20 | SHINDENGEN | General Purpose Rectifiers(200V 1A) |
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| D1N5817 | ETC | SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 40 Volts Forward Current - 1.0Ampere |
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| D1N60 | SHINDENGEN | General Purpose Rectifiers(600V 1A) |
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| D1NF60 | SHINDENGEN | Super Fast Recovery Rectifiers(600V 0.8A) |
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