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D1NJ10

更新时间: 2024-11-04 02:54:51
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新电元 - SHINDENGEN 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 1221K
描述
Schottky Barrier Diode

D1NJ10 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:AXIAL DIODE
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.56
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

D1NJ10 数据手册

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