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CYW255OXC

更新时间： 2024-02-04 04:36:30
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 逻辑集成电路光电二极管驱动动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
10页 256K
描述
200-MHz 24-Output Buffer for 4 DDR or 3 SDRAM DIMMS

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CYW255OXC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SSOP
包装说明：SSOP,针数：48
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.3其他特性：ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
系列：255输入调节：STANDARD
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：15.875 mm
逻辑集成电路类型：LOW SKEW CLOCK DRIVER功能数量：1
反相输出次数：端子数量：48
实输出次数：24最高工作温度：70 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）：10 ns认证状态：Not Qualified
Same Edge Skew-Max（tskwd）：0.15 ns座面最大高度：2.794 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.625 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.635 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.5057 mm
Base Number Matches：1

CYW255OXC 数据手册

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W255  
Storage Temperature.................................. –65°C to +150°C  
Maximum Ratings  
Supply Voltage to Ground Potential..................–0.5 to +7.0V  
DC Input Voltage (except BUF_IN)............–0.5V to VDD+0.5  
Static Discharge Voltage...........................................> 2000V  
(per MIL-STD-883, Method 3015)  
Operating Conditions[2]  
Parameter  
VDD3.3  
VDD2.5  
TA  
COUT  
CIN  
Description  
Min.  
3.135  
2.375  
0
Typ.  
Max.  
3.465  
2.625  
70  
Unit  
V
V
°C  
pF  
pF  
Supply Voltage  
Supply Voltage  
Operating Temperature (Ambient Temperature)  
Output Capacitance  
6
5
Input Capacitance  
Electrical Characteristics Over the Operating Range  
Parameter  
VIL  
VIH  
IIL  
IIH  
Description  
Input LOW Voltage  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Current  
Input HIGH Current  
Output HIGH Current  
Test Conditions  
For all pins except SMBus  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.8  
Unit  
V
V
µA  
µA  
mA  
2.0  
VIN = 0V  
VIN = VDD  
VDD = 2.375V  
VOUT = 1V  
50  
50  
IOH  
–18  
26  
–32  
35  
IOL  
Output LOW Current  
VDD = 2.375V  
mA  
V
OUT = 1.2V  
VOL  
VOH  
IDD  
Output LOW Voltage[3]  
Output HIGH Voltage[3]  
Supply Current[3]  
(DDR-only mode)  
IOL = 12 mA, VDD = 2.375V  
IOH = –12 mA, VDD = 2.375V  
Unloaded outputs, 133 MHz  
0.6  
V
V
mA  
1.7  
400  
500  
IDD  
Supply Current  
Loaded outputs, 133 MHz  
PWR_DWN# = 0  
mA  
(DDR-only mode)  
IDDS  
Supply Current  
100  
µA  
VOUT  
Output Voltage Swing  
See test circuity (refer to  
0.7  
VDD +0.6  
V
Figure 1)  
VOC  
Output Crossing Voltage  
(VDD/2) –  
0.1  
VDD/2  
(VDD/2) +  
0.1  
V
INDC  
Input Clock Duty Cycle  
48  
52  
%
[4]  
Switching Characteristics  
Parameter  
Name  
Operating Frequency  
Duty Cycle[3, 5] = t2 ÷ t1  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
–
–
66  
INDC  
5%  
200  
INDC  
5%  
MHz  
%
Measured at 1.4V for 3.3V outputs  
Measured at VDD/2 for 2.5V outputs  
Measured between 0.4V and 2.4V  
Measured between 2.4V and 0.4V  
–
+
t3  
t4  
t3d  
SDRAM Rising Edge Rate[3]  
SDRAM Falling Edge Rate[3]  
DDR Rising Edge Rate[3]  
1.0  
1.0  
0.5  
2.75  
2.75  
1.50  
V/ns  
V/ns  
V/ns  
Measured between 20% to 80% of  
output (refer to Figure 1)  
Notes:  
2. Multiple Supplies: The voltage on any input or I/O pin cannot exceed the power pin during power-up. Power supply sequencing is NOT required.  
3. Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.  
4. All parameters specified with loaded outputs.  
5. Duty cycle of input clock is 50%. Rising and falling edge rate is greater than 1 V/ns.  
Document #: 38-07255 Rev. *D  
Page 4 of 10  
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