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CYDC128B08-55BVXI PDF预览

CYDC128B08-55BVXI

更新时间： 2024-11-24 19:27:03
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 819K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, TQFP-100

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CYDC128B08-55BVXI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：LFQFP,针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.79
最长访问时间：55 ns其他特性：ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3V SUPPLY
JESD-30 代码：S-PQFP-G100JESD-609代码：e3
长度：14 mm内存密度：131072 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：100字数：16384 words
字数代码：16000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFQFP封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

CYDC128B08-55BVXI 数据手册

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CYDC256B16, CYDC128B16,  
CYDC064B16, CYDC128B08,  
CYDC064B08  
1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8  
ConsuMoBL Dual-Port Static RAM  
• Full asynchronous operation  
Features  
• Automatic power-down  
• True dual-ported memory cells which allow simulta-  
neous access of the same memory location  
• Pin select for Master or Slave  
• Expandable data bus to 32 bits with Master/Slave chip  
select when using more than one device  
• 4/8/16K × 16 and 8/16K × 8 organization  
• High-speed access: 40 ns  
• On-chip arbitration logic  
• Ultra Low operating power  
• Semaphores included to permit software handshaking  
between ports  
— Active: ICC = 15 mA (typical) at 55 ns  
— Active: ICC = 25 mA (typical) at 40 ns  
— Standby: ISB3 = 2 µA (typical)  
• Input Read Registers and Output Drive Registers  
• INT flag for port-to-port communication  
• Separate upper-byte and lower-byte control  
• Industrial temperature ranges  
• Small footprint: Available in a 14 x 14 x 1.4 mm 100-pin  
Lead (Pb)-free TQFP  
• Port-independent 1.8V, 2.5V, and 3.0V I/Os  
Selection Guide for VCC = 1.8V  
CYDC256B16, CYDC128B16,  
CYDC256B16, CYDC128B16,  
CYDC064B16, CYDC128B08,  
CYDC064B08  
CYDC064B16, CYDC128B08,  
CYDC064B08  
-40  
-55  
Port I/O Voltages (P1-P2)  
Maximum Access Time  
1.8V-1.8V  
1.8V-1.8V  
Unit  
ns  
40  
25  
2
55  
15  
2
Typical Operating Current  
Typical Standby Current for ISB1  
Typical Standby Current for ISB3  
mA  
µA  
2
2
µA  
Selection Guide for VCC = 2.5V  
CYDC256B16, CYDC128B16,  
CYDC064B16, CYDC128B08,  
CYDC064B08  
CYDC256B16, CYDC128B16,  
CYDC064B16, CYDC128B08,  
CYDC064B08  
-40  
-55  
Port I/O Voltages (P1-P2)  
Maximum Access Time  
2.5V-2.5V  
2.5V-2.5V  
Unit  
ns  
40  
39  
6
55  
28  
6
Typical Operating Current  
Typical Standby Current for ISB1  
Typical Standby Current for ISB3  
mA  
µA  
4
4
µA  
Selection Guide for VCC = 3.0V  
CYDC256B16, CYDC128B16,  
CYDC064B16, CYDC128B08,  
CYDC064B08  
CYDC256B16, CYDC128B16,  
CYDC064B16, CYDC128B08,  
CYDC064B08  
-40  
-55  
Port I/O Voltages (P1-P2)  
Maximum Access Time  
3.0V-3.0V  
3.0V-3.0V  
Unit  
ns  
40  
49  
7
55  
42  
7
Typical Operating Current  
Typical Standby Current for ISB1  
Typical Standby Current for ISB3  
mA  
µA  
6
6
µA  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-01638 Rev. *C  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised May 18, 2006  
1234567...26

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC
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