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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | 长度： | 15 mm |
| 内存密度： | 75497472 bit | 内存集成电路类型： | QDR SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 165 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2MX36 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 13 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C2565KV18-500BZXC | ROCHESTER |
获取价格 |
2MX36 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
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| CY7C2565KV18-500BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2565KV18-500BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2565KV18-550BZC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2565KV18-550BZI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2565KV18-550BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2565KV18-550BZXI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2565XV18-600BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR® II Xtreme SRAM Four-Word Burst |
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| CY7C2565XV18-600BZC | INFINEON |
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Synchronous SRAM |
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| CY7C2565XV18-600BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR® II Xtreme SRAM Four-Word Burst |
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