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Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C187-25VXC
CY7C187-25VXC PDF预览

CY7C187-25VXC

更新时间： 2024-11-09 04:53:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
64K x 1 Static RAM

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CY7C187-25VXC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOP, SOJ24,.34
针数：24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.72
最长访问时间：25 nsI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-PDSO-G24长度：15.365 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：1功能数量：1
端子数量：24字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX1输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOJ24,.34封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.55 mm最大待机电流：0.02 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.505 mmBase Number Matches：1

CY7C187-25VXC 数据手册

 浏览型号CY7C187-25VXC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C187-25VXC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C187-25VXC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C187-25VXC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C187-25VXC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C187-25VXC的Datasheet PDF文件第7页 
CY7C187  
64K x 1 Static RAM  
Features  
Functional Description  
• High speed  
The CY7C187 is a high-performance CMOS static RAM  
organized as 65,536 words x 1 bit. Easy memory expansion is  
provided by an active LOW Chip Enable (CE) and tri-state  
drivers. The CY7C187 has an automatic power-down feature,  
reducing the power consumption by 56% when deselected.  
— 15 ns  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
Writing to the device is accomplished when the Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs are both LOW. Data on the  
input pin (DIN) is written into the memory location specified on  
the address pins (A0 through A15).  
— 495 mW  
• Low standby power  
— 110 mW  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
Reading the device is accomplished by taking the Chip Enable  
(CE) LOW, while Write Enable (WE) remains HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location  
specified on the address pin will appear on the data output  
(DOUT) pin.  
• Available in Pb-free and non Pb-free 22-pin (300-Mil)  
Molded DIP and 24-pin (300-Mil) Molded SOJ  
The output pin stays in high-impedance state when Chip  
Enable (CE) is HIGH or Write Enable (WE) is LOW.  
The CY7C187 utilizes a die coat to insure alpha immunity.  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ  
Top View  
DIP  
Top View  
DI  
A
V
CC  
A
V
CC  
1
22  
0
0
1
24  
INPUT BUFFER  
A
1
A
A
A
A
A
A
A
2
3
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
15  
1
15  
2
3
4
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A
2
14  
2
3
14  
A
3
A
12  
A
13  
A
12  
4
A
13  
A
12  
A
13  
A
A
A
4
5
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
4
A
15  
14  
A
NC  
5
6
A
A
A
5
16K x 1  
ARRAY  
11  
A
NC  
A
11  
DO  
CE  
A
6
A
7
7
8
9
A
10  
9
0
A
6
A
10  
A
1
A
9
A
A
7
16  
15  
2
D
OUT  
14  
13  
12  
A
8
A
D
3
OUT  
WE  
A
8
D
IN  
10  
11  
WE  
D
IN  
14  
13  
CE  
GND  
GND  
CE  
POWER  
DOWN  
COLUMN DECODER  
C187–3  
C187–2  
WE  
C187–1  
Selection Guide  
-15  
15  
90  
20  
-25  
25  
70  
20  
-35  
Maximum Access Time (ns)  
35  
70  
20  
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby Current (mA)  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05044 Rev. *A  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised July 24, 2006  
[+] Feedback  
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CY7C187-25VXC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C187-25VC CYPRESS

完全替代

 64K x 1 Static RAM

与CY7C187-25VXC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C187-25VXCT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, LEAD FREE, MO-088, SOJ-24
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