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CY7C187

更新时间： 2024-11-07 00:01:31
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赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
10页 149K
描述
64K x 1 Static RAM

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CY7C187 数据手册

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87  
CY7C187  
64K x 1 Static RAM  
vided by an active LOW Chip Enable (CE) and three-state driv-  
ers. The CY7C187 has an automatic power-down feature,  
reducing the power consumption by 56% when deselected.  
Features  
• High speed  
— 15 ns  
Writing to the device is accomplished when the Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs are both LOW. Data on the  
input pin (DIN) is written into the memory location specified on  
the address pins (A0 through A15).  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
— 495 mW  
Reading the device is accomplished by taking the Chip Enable  
(CE) LOW, while Write Enable (WE) remains HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location speci-  
• Low standby power  
— 220 mW  
fied on the address pin will appear on the data output (DOUT  
pin.  
)
• TTL compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
The output pin stays in high-impedance state when Chip En-  
able (CE) is HIGH or Write Enable (WE) is LOW.  
Functional Description  
The CY7C187 utilizes a die coat to insure alpha immunity.  
The CY7C187 is a high-performance CMOS static RAM orga-  
nized as 65,536 words x 1 bit. Easy memory expansion is pro-  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ  
Top View  
DIP  
Top View  
DI  
A
V
CC  
1
22  
A
V
0
0
CC  
1
24  
A
1
A
A
2
3
4
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A
1
A
A
15  
15  
2
3
4
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
INPUT BUFFER  
A
A
2
14  
2
14  
A
3
A
A
A
3
A
A
13  
13  
A
4
5
6
A
12  
4
12  
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
A
12  
A
5
A
11  
A
10  
A
9
A
NC  
5
NC  
A
A
13  
7
8
9
10  
11  
A
11  
6
A
7
A
6
A
15  
A
A
A
10  
14  
D
14  
13  
12  
A
9
OUT  
A
256 x 256  
ARRAY  
A
7
16  
15  
A
8
DO  
CE  
D
D
IN  
WE  
OUT  
WE  
A
8
D
0
1
CE  
GND  
IN  
14  
13  
GND  
CE  
A
3
2
A
C187–3  
C187–2  
POWER  
DOWN  
COLUMN DECODER  
WE  
C187–1  
Selection Guide[1]  
7C187-15  
15  
7C187-20  
20  
7C187-25  
25  
7C187-35  
35  
Maximum Access Time (ns)  
Maximum Operating Current (mA)  
90  
80  
70  
70  
Maximum Standby Current (mA)  
40/20  
40/20  
20/20  
20/20  
Note:  
1. For military specifications, see the CY7C187A datasheet.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05044 Rev. **  
Revised August 24, 2001  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C187_06 CYPRESS

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 		64K x 1 Static RAM
CY7C187-10DC ETC

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 		x1 SRAM
CY7C187-10LC ETC

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CY7C187-10PC ETC

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 		x1 SRAM
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 		x1 SRAM
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 		Standard SRAM, 64KX1, 10ns, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOJ-24
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