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CY7C187-20VCR PDF预览

CY7C187-20VCR

更新时间： 2024-09-17 13:07:11
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
9页 145K
描述
Standard SRAM, 64KX1, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24

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CY7C187-20VCR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：24
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.75
最长访问时间：20 ns其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码：R-PDSO-J24长度：15.367 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：1功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX1
输出特性：3-STATE可输出：NO
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.556 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.5057 mmBase Number Matches：1

CY7C187-20VCR 数据手册

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87  
CY7C187  
64K x 1 Static RAM  
vided by an active LOW Chip Enable (CE) and three-state driv-  
ers. The CY7C187 has an automatic power-down feature,  
reducing the power consumption by 56% when deselected.  
Features  
• High speed  
— 15 ns  
Writing to the device is accomplished when the Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs are both LOW. Data on the  
input pin (DIN) is written into the memory location specified on  
the address pins (A0 through A15).  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
— 495 mW  
Reading the device is accomplished by taking the Chip Enable  
(CE) LOW, while Write Enable (WE) remains HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location speci-  
• Low standby power  
— 220 mW  
fied on the address pin will appear on the data output (DOUT  
pin.  
)
• TTL compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
The output pin stays in high-impedance state when Chip En-  
able (CE) is HIGH or Write Enable (WE) is LOW.  
Functional Description  
The CY7C187 utilizes a die coat to insure alpha immunity.  
The CY7C187 is a high-performance CMOS static RAM orga-  
nized as 65,536 words x 1 bit. Easy memory expansion is pro-  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ  
Top View  
DIP  
Top View  
DI  
A
V
CC  
1
22  
A
V
0
0
CC  
1
24  
A
1
A
A
2
3
4
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A
1
A
A
15  
15  
2
3
4
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
INPUT BUFFER  
A
A
2
14  
2
14  
A
3
A
A
A
3
A
A
13  
13  
A
4
5
6
A
12  
4
12  
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
A
12  
A
5
A
11  
A
10  
A
9
A
NC  
5
NC  
A
A
13  
7
8
9
10  
11  
A
11  
6
A
7
A
6
A
15  
A
A
A
10  
14  
D
14  
13  
12  
A
9
OUT  
A
256 x 256  
ARRAY  
A
7
16  
15  
A
8
DO  
CE  
D
D
IN  
WE  
OUT  
WE  
A
8
D
0
1
CE  
GND  
IN  
14  
13  
GND  
CE  
A
3
2
A
C187–3  
C187–2  
POWER  
DOWN  
COLUMN DECODER  
WE  
C187–1  
Selection Guide[1]  
7C187-15  
15  
7C187-20  
20  
7C187-25  
25  
7C187-35  
35  
Maximum Access Time (ns)  
Maximum Operating Current (mA)  
90  
80  
70  
70  
Maximum Standby Current (mA)  
40/20  
40/20  
20/20  
20/20  
Note:  
1. For military specifications, see the CY7C187A datasheet.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05044 Rev. **  
Revised August 24, 2001  
1234567...9

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与CY7C187-20VCR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C187-20VCT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 64KX1, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
CY7C187-25DC ETC

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 		x1 SRAM
CY7C187-25KMB CYPRESS

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 		64K x 1 Static RAM
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