是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.300 INCH, PLASTIC, MO-095, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.44 | 最长访问时间: | 20 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 34.67 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.82 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.11 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY7C185-20PXC | CYPRESS |
类似代替 |
8K x 8 Static RAM | |
7164S20TP | IDT |
功能相似 |
Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C185-20PXC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY7C185-20SC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY7C185-20VC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY7C185-20VCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, MO-088, SOJ-28 | |
CY7C185-20VI | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY7C185-20VIT | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
CY7C185-20ZC | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM | |
CY7C185-25DC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, CERDIP-28 | |
CY7C185-25DMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, | |
CY7C185-25KMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDFP28 |