是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | CERDIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.0205 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.02 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C185-25DMB | CYPRESS |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, | |
CY7C185-25KMB | CYPRESS |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDFP28 | |
CY7C185-25LC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | |
CY7C185-25LMB | CYPRESS |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, | |
CY7C185-25PC | CYPRESS |
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8K x 8 Static RAM | |
CY7C185-25SC | CYPRESS |
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8K x 8 Static RAM | |
CY7C185-25SCT | ETC |
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x8 SRAM | |
CY7C185-25VC | CYPRESS |
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8K x 8 Static RAM | |
CY7C185-25VCR | CYPRESS |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C185-25VCT | ETC |
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x8 SRAM |