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CY7C1512-25SC

更新时间： 2024-11-26 22:34:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
8页 196K
描述
64K x 8 Static RAM

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CY7C1512-25SC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.83最长访问时间：25 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP32,.56封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.005 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.12 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

CY7C1512-25SC 数据手册

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1CY7C1512  
PRELIMINARY  
CY7C1512  
64K x 8 Static RAM  
and three-state drivers. This device has an automatic pow-  
er-down feature that reduces power consumption by more  
than 75% when deselected.  
Features  
• High speed  
— t = 15 ns  
Writing to the device is accomplished by taking chip enable  
AA  
one (CE ) and write enable (WE) inputs LOW and chip enable  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
1
two (CE ) input HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O through  
2
0
I/O ) is then written into the location specified on the address  
7
— 770 mW  
pins (A through A ).  
0
15  
• Low standby power  
Reading from the device is accomplished by taking chip en-  
— 28 mW  
able one (CE ) and output enable (OE) LOW while forcing  
1
write enable (WE) and chip enable two (CE ) HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location speci-  
fied by the address pins will appear on the I/O pins.  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
2
• Easy memory expansion with CE , CE , and OE options  
1
2
The eight input/output pins (I/O through I/O ) are placed in a  
0
7
high-impedance state when the device is deselected (CE  
Functional Description  
1
HIGH or CE LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or  
2
The CY7C1512 is a high-performance CMOS static RAM or-  
ganized as 65,536 words by 8 bits. Easy memory expansion  
is provided by an active LOW chip enable (CE ), an active  
during a write operation (CE LOW, CE HIGH, and WE LOW).  
1
2
The CY7C1512 is available in standard TSOP type I and  
450-mil-wide plastic SOIC packages.  
1
HIGH chip enable (CE ), an active LOW output enable (OE),  
2
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOIC  
Top View  
V
NC  
NC  
32  
31  
30  
1
CC  
A
15  
2
3
A
14  
CE  
2
A
4
WE  
12  
29  
28  
5
A
A
A
A
13  
A
8
A
7
27  
26  
6
6
5
7
9
25  
24  
23  
22  
21  
A
A
3
8
9
10  
11  
12  
13  
A
4
11  
OE  
A
A
10  
I/O  
2
0
A
1
CE  
I/O  
I/O  
1
INPUT BUFFER  
A
7
6
0
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
2
1
20  
19  
A
0
A
1
I/O  
5
14  
15  
16  
I/O  
I/O  
18  
17  
4
3
2
A
GND  
2
1512-2  
OE  
A
3
4
A
A
A
A
1
2
I/O  
I/O  
I/O  
32  
31  
11  
3
4
5
64K x 8  
ARRAY  
A
A
9
8
5
6
10  
3
4
5
6
7
8
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
CE  
A
1
A
I/O  
7
13  
A
7
WE  
CE  
I/O  
I/O  
6
5
2
A
TSOP I  
15  
I/O  
I/O  
4
3
Top View  
V
CC  
NC  
NC  
9
GND  
(not to scale)  
I/O  
I/O  
6
7
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
2
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
I/O  
1
A
14  
CE  
1
A
I/O  
12  
0
CE  
2
I/O  
A
A
6
A
A
A
0
7
WE  
A
1
A
2
5
4
A
OE  
3
1512-1  
Selection Guide  
7C1512-15  
7C1512-20  
7C1512-25  
7C1512-35  
7C1512-70  
Maximum Access Time (ns)  
15  
20  
25  
35  
70  
Maximum Operating  
Current (mA)  
Commercial  
Commercial  
140  
130  
120  
110  
110  
Maximum CMOS  
5
5
5
5
5
Standby Current (mA)  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
June 1996 – Revised October 1996  
•
408-943-2600  
12345678

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