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CY7C142-45DC

更新时间： 2024-11-20 20:14:35

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	904K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

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CY7C142-45DC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T48
JESD-609代码：	e0	长度：	60.96 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	48
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP48,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C142-45DI	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
CY7C142-45DMB	CYPRESS	获取价格	2Kx8 Dual-Port Static RAM
CY7C142-45FMB	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
CY7C142-45LC	CYPRESS	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC48, CERAMIC, LCC-48
CY7C142-45LMB	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
CY7C142-45PC	CYPRESS	获取价格	2Kx8 Dual-Port Static RAM
CY7C142-45PI	CYPRESS	获取价格	2Kx8 Dual-Port Static RAM
CY7C1424AV18	CYPRESS	获取价格	36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1424AV18-167BZC	CYPRESS	获取价格	36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1424AV18-167BZI	CYPRESS	获取价格	36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture