是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 0.45 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 267 MHz |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 37748736 bit |
内存集成电路类型: | QDR SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大待机电流: | 0.385 A |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 1.46 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 15 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1414JV18-267BZI | CYPRESS |
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36-Mbit QDR⑩-II SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1414JV18-267BZXC | CYPRESS |
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36-Mbit QDR⑩-II SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1414JV18-267BZXI | CYPRESS |
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36-Mbit QDR⑩-II SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C1414KV18 | CYPRESS |
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36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture | |
CY7C1414KV18_12 | CYPRESS |
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36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architec | |
CY7C1414KV18-250BZC | CYPRESS |
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36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture | |
CY7C1414KV18-250BZI | CYPRESS |
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36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architec | |
CY7C1414KV18-250BZI | INFINEON |
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Synchronous SRAM | |
CY7C1414KV18-250BZXC | CYPRESS |
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36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture | |
CY7C1414KV18-250BZXC | INFINEON |
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Synchronous SRAM |