是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.36 | 最长访问时间: | 0.45 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 250 MHz |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 37748736 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大待机电流: | 0.26 A |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.73 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1414KV18-250BZXI | CYPRESS |
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36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architec | |
CY7C1414KV18-250BZXIT | CYPRESS |
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暂无描述 | |
CY7C1414KV18-300BZC | CYPRESS |
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36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architec | |
CY7C1414KV18-300BZI | CYPRESS |
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36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architec | |
CY7C1414KV18-300BZXC | CYPRESS |
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36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture | |
CY7C1414KV18-300BZXI | CYPRESS |
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36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architec | |
CY7C1414KV18-300BZXI | INFINEON |
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Synchronous SRAM | |
CY7C1414KV18-333BZC | CYPRESS |
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36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture | |
CY7C1414KV18-333BZC | INFINEON |
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Synchronous SRAM | |
CY7C1414KV18-333BZXC | CYPRESS |
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36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architec |