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CY7C1325F-133BGI PDF预览

CY7C1325F-133BGI

更新时间： 2024-01-01 10:10:51
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 448K
描述
Cache SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119

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CY7C1325F-133BGI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119
针数：119Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.91最长访问时间：6.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：18功能数量：1
端子数量：119字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA119,7X17,50封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.4 mm
最大待机电流：0.04 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm

CY7C1325F-133BGI 数据手册

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CY7C1325F  
4-Mb (256K x 18) Flow-Through Sync SRAM  
minimum glue logic. Maximum access delay from clock rise is  
6.5 ns (133-MHz version). A 2-bit on-chip counter captures the  
first address in a burst and increments the address automati-  
Features  
• 256K X 18 common I/O  
cally for the rest of the burst access. All synchronous inputs  
are gated by registers controlled by a positive-edge-triggered  
Clock Input (CLK). The synchronous inputs include all  
addresses, all data inputs, address-pipelining Chip Enable  
• 3.3V –5% and +10% core power supply (VDD  
)
• 2.5V or 3.3V I/O supply (VDDQ  
• Fast clock-to-output times  
— 6.5 ns (133-MHz version)  
— 7.5 ns (117-MHz version)  
— 8.0 ns (100-MHz version)  
— 11.0ns (66-MHz version)  
)
(
), depth-expansion Chip Enables (CE and  
), Burst  
CE3  
CE1  
2
Control inputs (  
,
,
), Write Enables  
). Asynchronous  
and  
ADV  
ADSC ADSP  
(
,
and  
), and Global Write (  
BW[A:B]  
BWE  
GW  
(
)
and the ZZ pin  
OE  
.
nputs include the Output Enable  
i
The CY7C1325F allows either interleaved or linear burst  
sequences, selected by the MODE input pin. A HIGH selects  
an interleaved burst sequence, while a LOW selects a linear  
burst sequence. Burst accesses can be initiated with the  
Processor Address Strobe (ADSP) or the cache Controller  
Address Strobe (ADSC) inputs.  
• Provide high-performance 2-1-1-1 access rate  
• User-selectable burst counter supporting Intel  
Pentiuminterleaved or linear burst sequences  
• Separate processor and controller address strobes  
• Synchronous self-timed write  
Addresses and chip enables are registered at rising edge of  
clock when either Address Strobe Processor (  
) or  
ADSP  
• Asynchronous output enable  
Address Strobe Controller (  
) are active. Subsequent  
ADSC  
burst addresses can be internally generated as controlled by  
the Advance pin ( ).  
• Offered in JEDEC-standard 100-pin TQFP and 119-ball  
BGA packages  
ADV  
The CY7C1325F operates from a +3.3V core power supply  
while all outputs may operate with either a +2.5 or +3.3V  
supply. All inputs and outputs are JEDEC-standard  
JESD8-5-compatible.  
• “ZZ” Sleep Mode option  
Functional Description[1]  
The CY7C1325F is a 262,144 x 18 synchronous cache RAM  
designed to interface with high-speed microprocessors with  
Logic Block Diagram  
ADDRESS  
REGISTER  
A0,A1,A  
A[1:0]  
MODE  
Q1  
ADV  
CLK  
BURST  
COUNTER AND  
LOGIC  
CLR  
Q0  
ADSC  
ADSP  
DQ  
B,DQPB  
DQ  
B,DQPB  
WRITE DRIVER  
WRITE REGISTER  
BW  
B
A
MEMORY  
ARRAY  
OUTPUT  
BUFFERS  
DQs  
DQP  
DQP  
SENSE  
AMPS  
A
B
DQ  
A,DQPA  
DQA,DQPA  
WRITE REGISTER  
WRITE DRIVER  
BW  
BWE  
GW  
INPUT  
REGISTERS  
ENABLE  
REGISTER  
CE  
CE  
CE  
1
2
3
OE  
SLEEP  
CONTROL  
ZZ  
Note:  
1. For best–practices recommendations, please refer to the Cypress application note System Design Guidelines on www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose, CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05215 Rev. *B  
Revised January 13, 2004  
1234567...17

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CY7C1325F-66AI CYPRESS Cache SRAM, 256KX18, 11ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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