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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119 |
| 针数： | 119 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.91 | 最长访问时间： | 6.5 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 22 mm |
| 内存密度： | 4718592 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.4 mm |
| 最大待机电流： | 0.04 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.225 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 14 mm |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| CY7C1325F-66AI | CYPRESS | Cache SRAM, 256KX18, 11ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
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| CY7C1325F-66BGC | CYPRESS | Cache SRAM, 256KX18, 11ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119 |
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| CY7C1325F-66BGI | CYPRESS | Cache SRAM, 256KX18, 11ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119 |
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| CY7C1325G | CYPRESS | 4-Mbit (256K x 18) Flow-Through Sync SRAM |
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| CY7C1325G_11 | CYPRESS | 4-Mbit (256 K x 18) Flow through Sync SRAM Synchronous self timed write |
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|
| CY7C1325G_12 | CYPRESS | 4-Mbit (256 K Ã 18) Flow-Through Sync SRAM |
获取价格 |
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