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CY7C1150V18-300BZC

更新时间： 2024-01-03 07:10:08
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 双倍数据速率静态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 645K
描述
DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165

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CY7C1150V18-300BZC 数据手册

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CY7C1146V18, CY7C1157V18  
CY7C1148V18, CY7C1150V18  
Pin Configurations (continued)  
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout  
CY7C1148V18 (1M x 18)  
1
2
3
A
4
5
6
K
7
8
9
A
10  
NC/36M  
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CQ  
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NC  
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R/W  
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A
LD  
A
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NC  
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K
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NC  
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DQ7  
NC  
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VSS  
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VSS  
VSS  
NC  
NC  
DQ12  
NC  
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NC  
VDDQ  
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VSS  
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VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VDDQ  
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VDDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
DQ6  
E
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VDD  
VSS  
DQ5  
NC  
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VDDQ  
NC  
NC  
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G
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NC  
VDDQ  
NC  
VREF  
DQ4  
NC  
ZQ  
DOFF  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
DQ14  
NC  
NC  
DQ3  
DQ2  
K
L
DQ15  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
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NC  
VSS  
VSS  
VSS  
A
VSS  
A
VSS  
A
VSS  
VSS  
NC  
NC  
NC  
DQ1  
NC  
NC  
NC  
M
N
P
DQ16  
DQ17  
A
QVLD  
A
NC  
DQ0  
A
A
A
A
A
NC  
A
TDO  
TCK  
A
A
TMS  
TDI  
R
CY7C1150V18 (512K x 36)  
1
2
3
4
5
6
K
7
8
9
A
10  
NC/72M  
11  
CQ  
NC/144M NC/36M  
A
B
C
D
R/W  
A
BWS2  
BWS3  
A
LD  
A
CQ  
NC  
BWS1  
BWS0  
A
DQ27  
NC  
DQ18  
DQ28  
DQ19  
K
NC  
NC  
NC  
NC  
DQ17  
NC  
DQ8  
DQ7  
DQ16  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
VSS  
VSS  
NC  
VSS  
VSS  
VSS  
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VSS  
VSS  
NC  
DQ30  
DQ31  
VREF  
NC  
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VDDQ  
DQ32  
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VDDQ  
VDDQ  
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VDDQ  
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VDDQ  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
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VDD  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VDDQ  
VDDQ  
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VDDQ  
VDDQ  
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VDDQ  
NC  
NC  
DQ15  
NC  
DQ6  
E
F
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
DQ5  
DQ14  
ZQ  
NC  
NC  
G
H
J
VDDQ  
NC  
VREF  
DQ13  
DQ12  
NC  
DOFF  
NC  
DQ4  
DQ3  
DQ2  
NC  
NC  
NC  
NC  
K
L
DQ33  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
DQ35  
NC  
DQ34  
DQ25  
DQ26  
VSS  
VSS  
VSS  
A
VSS  
A
VSS  
A
VSS  
VSS  
NC  
NC  
NC  
DQ11  
NC  
DQ1  
DQ10  
DQ0  
M
N
P
A
QVLD  
A
DQ9  
A
A
A
A
A
A
TDO  
TCK  
A
NC  
A
TMS  
TDI  
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Document Number: 001-06621 Rev. *D  
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CY7C1150V18-300BZXC CYPRESS DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, F

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CY7C1150V18-300BZXI CYPRESS DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, F

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CY7C1150V18-333BZC CYPRESS 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

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