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CY7C109A-25DMB

更新时间: 2024-11-26 20:23:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 674K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERDIP-32

CY7C109A-25DMB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.400 INCH, CERDIP-32针数:32
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.17
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-GDIP-T32JESD-609代码:e0
长度:42.1005 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.00007 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.16 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

CY7C109A-25DMB 数据手册

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