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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 40.64 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.334 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C109AL-25VCR | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| CY7C109AL-35DMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERDIP-32 |
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| CY7C109AL-35LMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, LCC-32 |
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| CY7C109B | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C109B_06 | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C109B-12VC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C109B-12ZC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C109B-12ZCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| CY7C109B-12ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C109B-12ZXCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |
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