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Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C109B-12ZXC
CY7C109B-12ZXC PDF预览

CY7C109B-12ZXC

更新时间： 2024-11-20 02:51:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 379K
描述
128K x 8 Static RAM

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CY7C109B-12ZXC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.47Is Samacsys：N
最长访问时间：12 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：8 mm
Base Number Matches：1

CY7C109B-12ZXC 数据手册

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CY7C109B  
CY7C1009B  
128K x 8 Static RAM  
Features  
Functional Description[1]  
• High speed  
The CY7C109B/CY7C1009B is a high-performance CMOS  
static RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy  
memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable  
(CE1), an active HIGH Chip Enable (CE2), an active LOW  
Output Enable (OE), and tri-state drivers. Writing to the device  
is accomplished by taking Chip Enable One (CE1) and Write  
Enable (WE) inputs LOW and Chip Enable Two (CE2) input  
HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is then  
written into the location specified on the address pins (A0  
through A16).  
— tAA = 12 ns  
• Low active power  
— 495 mW (max.)  
• Low CMOS standby power  
— 11 mW (max.) (L Version)  
• 2.0V Data Retention  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable One (CE1) and Output Enable (OE) LOW while forcing  
Write Enable (WE) and Chip Enable Two (CE2) HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location  
specified by the address pins will appear on the I/O pins.  
• CY7C109B is available in standard 400-mil-wide SOJ  
and 32-pin TSOP type I packages. The CY7C1009B is  
available in a 300-mil-wide SOJ package  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE1  
HIGH or CE2 LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or  
during a write operation (CE1 LOW, CE2 HIGH, and WE LOW).  
CY7C109B is available in standard 400-mil-wide SOJ and 32-  
pin TSOP type I packages. The CY7C1009B is available in a  
300-mil-wide SOJ package. The CY7C109B and CY7C1009B  
are functionally equivalent in all other respects  
Pin Configurations[2]  
Logic Block Diagram  
SOJ  
Top View  
V
NC  
32  
31  
30  
1
CC  
A
16  
A
15  
CE  
2
3
4
A
14  
2
A
12  
29  
28  
WE  
5
A
7
A
6
A
5
A
A
A
13  
8
27  
26  
6
7
9
25  
24  
23  
22  
21  
A
A
8
9
10  
11  
12  
13  
A
4
3
11  
I/O  
0
OE  
A
A
A
10  
INPUT BUFFER  
2
1
CE  
I/O  
I/O  
1
7
6
I/O  
I/O  
A
I/O  
1
0
0
A
0
20  
19  
A
1
I/O  
I/O  
GND  
I/O  
1
5
14  
15  
16  
2
A
2
I/O  
I/O  
2
18  
17  
4
3
A
3
4
A
I/O  
I/O  
I/O  
128K x 8  
ARRAY  
3
4
5
A
A
11  
1
2
32  
31  
OE  
5
6
A
A
A
A
9
8
10  
3
4
5
6
7
8
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
CE  
I/O  
A
7
8
A
13  
7
A
WE  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
6
5
CE  
2
A
15  
TSOP I  
4
3
V
Top View  
CC  
I/O  
6
7
NC  
9
GND  
(not to scale)  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
A
I/O  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
16  
2
CE  
2
WE  
1
I/O  
1
A
CE  
14  
A
I/O  
I/O  
12  
0
A
A
0
7
A
A
6
1
A
2
OE  
A
A
5
4
A
3
Note:  
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.  
2. NC pins are not connected on the die.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05038 Rev. *C  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 3, 2006  
[+] Feedback  
1234567...10

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CY7C109B-12ZXC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C109B-12ZXCT CYPRESS

完全替代

 Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32
CY7C109BN-12ZXC CYPRESS

完全替代

 128K x 8 Static RAM
CY7C109D-10ZXI CYPRESS

功能相似

 1-Mbit (128K x 8) Static RAM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C109B-12ZXCT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32
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 		Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32
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CY7C109B-15ZC CYPRESS

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