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CY7C109A-20VC

更新时间: 2024-11-26 20:23:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 674K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

CY7C109A-20VC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32针数:32
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.8
最长访问时间:20 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:20.955 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:2
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7592 mm最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.155 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C109A-20VC 数据手册

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