是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | VFBGA, BGA48,6X8,30 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.55 |
最长访问时间: | 10 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1 mm |
最大待机电流: | 0.008 A | 最小待机电流: | 1 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.2 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY7C1041G30-10BVJXI | CYPRESS |
完全替代 |
4-Mbit (256K words à 16 bit) Static RAM with | |
CY7C1041DV33-10BVXI | CYPRESS |
类似代替 |
4-Mbit (256 K × 16) Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1041G30-10BVXIT | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1041G30-10VXI | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, SOJ-44 | |
CY7C1041G30-10VXI | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1041G30-10ZSXA | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1041G30-10ZSXAT | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1041G30-10ZSXE | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
CY7C1041G30-10ZSXE | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1041G30-10ZSXET | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1041G30-10ZSXI | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (256K words à 16 bit) Static RAM with | |
CY7C1041G30-10ZSXI | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM |