5秒后页面跳转
CY7C1020-10VCT PDF预览

CY7C1020-10VCT

更新时间: 2024-01-02 04:06:58
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 186K
描述
Standard SRAM, 32KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

CY7C1020-10VCT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.6
最长访问时间:10 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-PDSO-J44长度:28.575 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX16
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7592 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C1020-10VCT 数据手册

 浏览型号CY7C1020-10VCT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY7C1020-10VCT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1020-10VCT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1020-10VCT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1020-10VCT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1020-10VCT的Datasheet PDF文件第7页 
CY7C1020  
Electrical Characteristics Over the Operating Range (continued)  
7C1020-20  
Parameter  
VOH  
Description  
Output HIGH Voltage  
Output LOW Voltage  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage[1]  
Input Load Current  
Test Conditions  
VCC = Min., IOH = 4.0 mA  
VCC = Min., IOL = 8.0 mA  
Min.  
Max.  
Unit  
V
2.4  
VOL  
VIH  
VIL  
IIX  
0.4  
6.0  
0.8  
+1  
V
2.2  
0.5  
1  
V
V
GND < VI < VCC  
µA  
µA  
mA  
IOZ  
ICC  
Output Leakage Current  
GND < VI < VCC, Output Disabled  
2  
+2  
VCC Operating  
Supply Current  
VCC = Max.,  
IOUT = 0 mA,  
f = fMAX = 1/tRC  
160  
130  
L
ISB1  
Automatic CE  
Power-Down Current  
TTL Inputs  
Max. VCC, CE > VIH  
VIN > VIH or  
VIN < VIL, f = fMAX  
20  
10  
mA  
L
L
ISB2  
Automatic CE  
Power-Down Current  
CMOS Inputs  
Max. VCC  
,
3
mA  
CE > VCC 0.3V,  
VIN > VCC 0.3V,  
or VIN < 0.3V, f = 0  
100  
µA  
Capacitance[3]  
Parameter  
Description  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Test Conditions  
Max.  
Unit  
pF  
CIN  
TA = 25°C, f = 1 MHz,  
VCC = 5.0V  
8
8
COUT  
pF  
Note:  
3. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.  
AC Test Loads and Waveforms  
R 481  
R 481Ω  
ALL INPUT PULSES  
90%  
5V  
5V  
3.0V  
GND  
90%  
10%  
OUTPUT  
OUTPUT  
10%  
R2  
255Ω  
R2  
255Ω  
30 pF  
5 pF  
INCLUDING  
JIG AND  
SCOPE  
INCLUDING  
JIG AND  
SCOPE  
<3 ns  
<3 ns  
(b)  
1020-3  
(a)  
1020-4  
167Ω  
30 pF  
1.73V  
OUTPUT  
Equivalent to:  
THÉVENIN  
EQUIVALENT  
Document #: 38-05058 Rev. **  
Page 3 of 10  

与CY7C1020-10VCT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1020-10ZC CYPRESS

获取价格

32K x 16 Static RAM
CY7C1020-10ZCT CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 32KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1020-12VC CYPRESS

获取价格

32K x 16 Static RAM
CY7C1020-12VCT CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 32KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
CY7C1020-12ZC CYPRESS

获取价格

32K x 16 Static RAM
CY7C1020-12ZCT CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 32KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1020-15VC CYPRESS

获取价格

32K x 16 Static RAM
CY7C1020-15VCT CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 32KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
CY7C1020-15ZC CYPRESS

获取价格

32K x 16 Static RAM
CY7C1020-15ZCT CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 32KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44