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CY7C09369V-7AI PDF预览

CY7C09369V-7AI

更新时间： 2024-01-26 21:01:36
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
19页 348K
描述
3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM

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CY7C09369V-7AI 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：QFP
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100针数：100
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
最长访问时间：7.5 ns其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：S-PQFP-G100JESD-609代码：e3/e4
长度：14 mm内存密度：294912 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：18
功能数量：1端子数量：100
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16KX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFQFP
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL认证状态：COMMERCIAL
座面最大高度：1.6 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD宽度：14 mm
Base Number Matches：1

CY7C09369V-7AI 数据手册

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CY7C09269V/79V/89V  
CY7C09369V/79V/89V  
Electrical Characteristics Over the Operating Range  
CY7C09269V/79V/89V  
CY7C09369V/79V/89V  
-6[1, 2]  
-7[2]  
-9  
-12  
Parameter  
Description  
VOH  
Output HIGH Voltage (VCC = Min.  
lOH = –4.0 mA)  
2.4  
2.4  
2.0  
2.4  
2.4  
2.0  
V
V
VOL  
Output LOW Voltage (VCC = Min.  
lOH = +4.0 mA)  
0.4  
0.8  
0.4  
0.8  
0.4  
0.8  
0.4  
0.8  
VIH  
VIL  
IOZ  
ICC  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
2.0  
2.0  
V
V
Output Leakage Current  
–10  
10 –10  
10 –10  
10 –10  
10 µA  
Operating Current  
Com’l.  
175 320  
155 275  
275 390  
135 230  
185 300  
115 180 mA  
mA  
(VCC = Max, IOUT = 0 mA)  
Outputs Disabled  
Indust.  
ISB1  
ISB2  
ISB3  
ISB4  
Standby Current (Both  
Ports TTL Level)[12] CEL &  
CER ≥ VIH, f = fMAX  
Com’l.  
25 95  
25 85  
85 120  
20  
35  
75  
85  
20  
70 mA  
mA  
Indust.  
Standby Current (One Port Com’l.  
115 175  
10 250  
105 135  
105 165  
165 210  
95 155  
105 165  
85 140 mA  
mA  
TTL Level)[12] CEL | CER  
VIH, f = fMAX  
≥
Indust.  
Standby Current (Both  
Com’l.  
10 250  
10 250  
10 250  
10 250  
10 250 µA  
µA  
Ports CMOS Level)[12] CEL  
Indust.  
& CER ≥ VCC – 0.2V, f = 0  
Standby Current (One Port Com’l.  
95 125  
125 170  
85 115  
95 125  
75 100 mA  
mA  
CMOS Level)[12] CEL | CER  
Indust.  
≥ VIH, f = fMAX  
Capacitance  
Parameter  
Description  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Test Conditions  
Max.  
10  
Unit  
pF  
CIN  
TA = 25°C, f = 1 MHz,  
VCC = 3.3V  
COUT  
10  
pF  
Note:  
12. CEL and CER are internal signals. To select either the left or right port, both CE0 and CE1 must be asserted to their active states (CE0 ≤ VIL and CE1 ≥ VIH).  
Document #: 38-06056 Rev. **  
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与CY7C09369V-7AI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C09369V-7AXC ROCHESTER

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 		16KX18 DUAL-PORT SRAM, 7.5ns, PQFP100, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
CY7C09369V-9AC CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-9AC ROCHESTER

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 		16KX18 DUAL-PORT SRAM, 9ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
CY7C09369V-9ACT CYPRESS

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 16KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
CY7C09369V-9AI CYPRESS

获取价格

 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-9AXC CYPRESS

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 		3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM
CY7C09369V-9AXCT CYPRESS

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 		暂无描述
CY7C09379 CYPRESS

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 		32K/64K X 16/18 Synchronous Dual Port Static RAM
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 		Multi-Port SRAM, 64KX9, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
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 		32K/64K X 16/18 Synchronous Dual Port Static RAM

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