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CY7C008-20AC PDF预览

CY7C008-20AC

更新时间： 2024-11-09 00:01:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 386K
描述
64K/128K x 8/9 Dual-Port Static RAM

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CY7C008-20AC 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：PLASTIC, TQFP-100
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.63
Is Samacsys：N最长访问时间：20 ns
其他特性：INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHOREI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQFP-G100JESD-609代码：e0
长度：14 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：100
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFQFP封装等效代码：QFP100,.63SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.0015 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.265 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：14 mmBase Number Matches：1

CY7C008-20AC 数据手册

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CY7C008/009  
CY7C018/01964K/128K  
x 8/9 Dual-Port Static RAM  
CY7C008/009  
CY7C018/019  
64K/128K x 8/9 Dual-Port Static RAM  
Features  
• True Dual-Ported memory cells which allow simulta-  
neous access of the same memory location  
• Fully asynchronous operation  
• Automatic power-down  
• 64K x 8 organization (CY7C008)  
• 128K x 8 organization (CY7C009)  
• 64K x 9 organization (CY7C018)  
• 128K x 9 organization (CY7C019)  
• 0.35-micron CMOS for optimum speed/power  
• High-speed access: 12[1]/15/20 ns  
• Low operating power  
• Expandable data bus to 16/18 bits or more using Mas-  
ter/Slave chip select when using more than one device  
• On-chip arbitration logic  
• Semaphores included to permit software handshaking  
between ports  
• INT flags for port-to-port communication  
• Dual Chip Enables  
• Pin select for Master or Slave  
• Commercial and Industrial temperature ranges  
• Available in 100-pin TQFP  
— Active: ICC = 180 mA (typical)  
—Standby: ISB3 = 0.05 mA (typical)  
Logic Block Diagram  
R/W  
R/W  
L
R
CE  
CE  
CE  
CE  
0L  
1L  
0R  
1R  
CE  
CE  
R
L
OE  
OE  
R
L
[2]  
[2]  
8/9  
8/9  
I/O –I/O  
I/O –I/O  
7/8R  
0L  
7/8L  
0R  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
16/17  
16/17  
[3]  
A –A[3]  
A
–A  
Address  
Decode  
Address  
Decode  
True Dual-Ported  
0L  
15/16L  
0R 15/16R  
RAM Array  
16/17  
16/17  
A –A[3]  
A
–A  
[3]  
0L  
15/16L  
0R 15/16R  
CE  
CE  
Interrupt  
Semaphore  
Arbitration  
L
R
OE  
OE  
L
R
R/W  
R/W  
L
R
SEM  
SEM  
L
R
[4]  
[4]  
BUSY  
BUSY  
INT  
L
R
R
INT  
L
M/S  
Notes:  
1. See page 6 for Load Conditions.  
2. I/O –I/O for x8 devices; I/O –I/O for x9 devices.  
0
7
0
8
3. A –A for 64K devices; A –A for 128K.  
0
15  
0
16  
4. BUSY is an output in master mode and an input in slave mode.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-06041 Rev. *C  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Revised June 22, 2004  
1234567...19

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与CY7C008-20AC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C008-20ACT CYPRESS

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 		Dual-Port SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
CY7C008-20AI CYPRESS

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 		Dual-Port SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
CY7C008V CYPRESS

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 		3.3V 64K/128K x 8/9 Dual-Port Static RAM
CY7C008V_05 CYPRESS

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 		Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
CY7C008V-25AXC CYPRESS

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 		3.3V 64K/128K x 8/9 Dual-Port Static RAM

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