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CY7B139-25GMB

更新时间： 2024-11-23 22:18:11

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器信息通信管理
页数	文件大小	规格书
14页	530K
描述
4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy

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CY7B139-25GMB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	PGA	包装说明：	CAVITY-DOWN, CERAMIC, PGA-68
针数：	68	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; INTERRUPT FLAG
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CPGA-P68
JESD-609代码：	e0	长度：	27.94 mm
内存密度：	36864 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	68
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	4KX9
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA68,11X11	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	2.667 mm
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	BICMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
宽度：	27.94 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7B139-25JC	CYPRESS	获取价格	4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy
CY7B139-25JCR	CYPRESS	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX9, 25ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
CY7B139-25JCT	CYPRESS	获取价格	Dual-Port SRAM, 4KX9, 25ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
CY7B139-25JI	CYPRESS	获取价格	4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy
CY7B139-25JIR	CYPRESS	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX9, 25ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
CY7B139-25JIT	CYPRESS	获取价格	Dual-Port SRAM, 4KX9, 25ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
CY7B139-25LC	ETC	获取价格	x9 Dual-Port SRAM
CY7B139-25LMB	CYPRESS	获取价格	4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy
CY7B139-35GC	CYPRESS	获取价格	4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy
CY7B139-35GMB	CYPRESS	获取价格	4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy