是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | LCC | 包装说明: | CERAMIC, LCC-68 |
针数: | 68 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.87 | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; INTERRUPT FLAG | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQCC-N68 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 24.13 mm | 内存密度: | 36864 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 68 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 4KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC68,.95SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 2.54 mm |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.28 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BICMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 24.13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7B139-35GC | CYPRESS |
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4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy | |
CY7B139-35GMB | CYPRESS |
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4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy | |
CY7B139-35JC | CYPRESS |
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4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy | |
CY7B139-35JCR | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 4KX9, 35ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
CY7B139-35JI | CYPRESS |
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4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy | |
CY7B139-35JIT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 4KX9, 35ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
CY7B139-35LC | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM | |
CY7B139-35LMB | CYPRESS |
获取价格 |
4K x8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy | |
CY7B139-55JCR | CYPRESS |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX9, 55ns, BICMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
CY7B141 | CYPRESS |
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1Kx8 Dual-Port Static RAM |