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Datasheet > 暂无类别数据> CY62158CV30LL-70BAI
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CY62158CV30LL-70BAI

更新时间： 2024-11-17 22:56:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
12页 259K
描述
1024K x 8 MoBL Static RAM

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CY62158CV30LL-70BAI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.8最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0长度：10 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00001 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：6 mmBase Number Matches：1

CY62158CV30LL-70BAI 数据手册

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CY62158CV25/30/33  
MoBL™  
1024K x 8 MoBL Static RAM  
in portable applications such as cellular telephones. The de-  
vice also has an automatic power-down feature that signifi-  
cantly reduces power consumption by 80% when addresses  
are not toggling. The device can be put into standby mode  
reducing power consumption by more than 99% when dese-  
lected (CE1 HIGH or CE2 LOW).  
Features  
• High Speed  
— 55 ns and 70 ns availability  
• Voltage range:  
— CY62158CV25: 2.2V–2.7V  
— CY62158CV30: 2.7V–3.3V  
— CY62158CV33: 3.0V–3.6V  
• Ultra low active power  
— Typical active current: 1.5 mA @ f = 1 MHz  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable 1  
(CE1) and Write Enable (WE) inputs LOW and Chip Enable 2  
(CE2) HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is  
then written into the location specified on the address pins (A0  
through A19).  
Reading from the device is accomplished by taking Chip En-  
able 1 (CE1) and Output Enable (OE) LOW and Chip Enable  
2 (CE2) HIGH while forcing Write Enable (WE) HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location speci-  
fied by the address pins will appear on the I/O pins.  
— Typicalactivecurrent: 5.5mA @ f =fmax(70nsspeed)  
• Low standby power  
• Easy memory expansion with CE1, CE2 and OE features  
• Automatic power-down when deselected  
• CMOS for optimum speed/power  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE1  
LOW and CE2 HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or  
during a write operation (CE1 LOW and CE2 HIGH and WE  
LOW).  
Functional Description  
The CY62158CV25/30/33 are high-performance CMOS static  
RAMs organized as 1024K words by 8 bits. This device fea-  
tures advanced circuit design to provide ultra-low active cur-  
rent. This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL™)  
The CY62158CV25/30/33 are available in a 48-ball FBGA  
package.  
Logic Block Diagram  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
Data in Drivers  
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
5
A
A
A
A
A
A
1024K x 8  
ARRAY  
A
A
A
9
10  
11  
A
A
A
12  
6
7
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE1  
CE2  
I/O  
WE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05019 Rev. *C  
Revised April 24, 2002  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62158CV30LL-70BAIT CYPRESS

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 		暂无描述
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