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Datasheet > 存储 > SRAM> CY62148CV25LL-55BVI
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CY62148CV25LL-55BVI

更新时间： 2024-11-19 22:18:27
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 274K
描述
512K x 8 MoBL Static RAM

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CY62148CV25LL-55BVI 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-36针数：36
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.71
Is Samacsys：N最长访问时间：55 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B36
JESD-609代码：e0长度：8 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：36
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA36,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大待机电流：0.00001 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.2 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：6 mmBase Number Matches：1

CY62148CV25LL-55BVI 数据手册

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CY62148CV25/30/33  
MoBL™  
512K x 8 MoBL Static RAM  
advanced circuit design to provide ultra-low active current.  
This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL™) in por-  
table applications such as cellular telephones. The device also  
has an automatic power-down feature that significantly reduc-  
es power consumption by 80% when addresses are not tog-  
gling. The device can be put into standby mode when dese-  
lected (CE HIGH).  
Features  
• High Speed  
— 55 ns and 70 ns availability  
• Low voltage range:  
— CY62148CV25: 2.2V–2.7V  
— CY62148CV30: 2.7V–3.3V  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location speci-  
fied on the address pins (A0 through A18).  
— CY62148CV33: 3.0V–3.6V  
• Pin compatible with CY62148V  
• Ultra low active power  
Reading from the device is accomplished by taking Chip En-  
able (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
— Typical active current: 1.5 mA @ f = 1MHz  
— Typicalactivecurrent:5.5mA@f=fmax (70nsspeed)  
• Low standby power  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
• Automatic power-down when deselected  
• CMOS for optimum speed/power  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW and WE LOW).  
Functional Description  
The CY62148CV25/30/33 are available in a 36-ball FBGA  
package.  
The CY62148CV25/30/33 are high-performance CMOS static  
RAMs organized as 512K words by 8 bits. This device features  
Logic Block Diagram  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
2
Data in Drivers  
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
3
4
5
6
512K x 8  
ARRAY  
5
A
6
A
A
A
7
8
9
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
I/O  
WE  
7
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05035 Rev. *A  
Revised September 7, 2001  
1234567...13

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与CY62148CV25LL-55BVI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62148CV25LL-70BAI CYPRESS

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 		512K x 8 MoBL Static RAM
CY62148CV25LL-70BVI CYPRESS

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 		512K x 8 MoBL Static RAM
CY62148CV25LL-70BVIT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-36
CY62148CV30 CYPRESS

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 		512K x 8 MoBL Static RAM
CY62148CV30LL-55BAI CYPRESS

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 		Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, 7 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, FPBGA-36
CY62148CV30LL-55BVI CYPRESS

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