是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.65 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 20.4465 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP32,.5 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.997 mm |
最大待机电流: | 0.0015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 11.303 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY62148CV25 | CYPRESS |
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512K x 8 MoBL Static RAM | |
CY62148CV25LL-55BAI | CYPRESS |
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512K x 8 MoBL Static RAM | |
CY62148CV25LL-55BVI | CYPRESS |
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512K x 8 MoBL Static RAM | |
CY62148CV25LL-70BAI | CYPRESS |
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512K x 8 MoBL Static RAM | |
CY62148CV25LL-70BVI | CYPRESS |
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512K x 8 MoBL Static RAM | |
CY62148CV25LL-70BVIT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-36 | |
CY62148CV30 | CYPRESS |
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512K x 8 MoBL Static RAM | |
CY62148CV30LL-55BAI | CYPRESS |
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512K x 8 MoBL Static RAM | |
CY62148CV30LL-55BAIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, 7 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, FPBGA-36 | |
CY62148CV30LL-55BVI | CYPRESS |
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512K x 8 MoBL Static RAM |