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CY62128DV30LL-70ZXIT

更新时间: 2024-01-24 04:11:57
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罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 1258K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32

CY62128DV30LL-70ZXIT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.39最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e3
长度:18.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.2 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

CY62128DV30LL-70ZXIT 数据手册

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