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CY27C256A-45WMB PDF预览

CY27C256A-45WMB

更新时间： 2024-09-17 15:44:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 168K
描述
UVPROM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, WINDOWED, CERDIP-28

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CY27C256A-45WMB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.600 INCH, HERMETIC SEALED, WINDOWED, CERDIP-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.62最长访问时间：45 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-GDIP-T28
JESD-609代码：e0长度：37.338 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：UVPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：WDIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE, WINDOW并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：12.75 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535Q/M;38534H;883B座面最大高度：5.715 mm
最大待机电流：0.025 A子类别：EPROMs
最大压摆率：0.055 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

CY27C256A-45WMB 数据手册

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fax id: 3026  
CY27C256A  
1-Megabit (32K x 8) CMOS EPROM  
windowed packages (28-pin hermetic DIP and 32-pin LCC)  
which allow the device to be erased with UV light for 100%  
reprogrammability.  
Features  
• Very fast read access time: (45 200 ns)  
−
• 5V ± 10% power supply  
• Capable of withstanding >2001V ESD  
• Latch-up protection up to 200 mA  
• Two line control functions to prevent bus contention  
• Standard JEDEC packages  
The CY27C256A is equipped with a power-down chip enable  
(CE) input and output enable (OE) to prevent bus contention.  
When CE is deasserted, the device powers down to a  
low-power stand-by mode. The OE pin three-states the out-  
puts without putting the device into stand-by mode. While CE  
offers lower power, OE provides a more rapid transition to and  
from three-stated outputs.  
— 32-pin PLCC  
— 28-pin TSOP  
The memory cells utilize proven EPROM floating-gate  
technology and byte-wide intelligent programming algorithms.  
The EPROM cell requires only 12.75V for the supervoltage  
and low programming current allows for gang programming.  
The device allows for each memory location to be tested  
100%, because each location is written to, erased, and  
repeatedly exercised prior to encapsulation. Each device is  
also tested for AC performance to guarantee that the product  
will meet DC and AC specification limits after customer  
programming.  
— 28-pin, 600-mil plastic DIP  
— 32-pin, hermetic LCC  
— 28-pin, 600-mil hermetic DIP  
• Available in commercial, industrial, and military  
temperature ranges  
Functional Description  
The CY27C256A is a high-performance, 256-Kbit ultraviolet  
erasable programmable read-only memory (EPROM) orga-  
nized as 32 Kbytes by 8 bits. It is available in JEDEC-standard,  
one-time programmable (OTP), 32-pin PLCC and 28-pin PDIP  
and TSOP packages. The CY27C256A is also available in  
The CY27C256A is read by asserting both the CE and the OE  
inputs. The contents of the memory location selected by the  
address on inputs A –A will appear at the outputs O −O .  
14  
0
7
0
Logic Block Diagram  
A
0
O
0
A
1
A
2
PROGRAMMABLE  
ARRAY  
O
1
A
3
A
4
O
2
A
5
O
3
A
6
A
7
DATA OUTPUTS  
ADDRESS INPUTS  
ADDRESS  
DECODER  
O
4
A
8
A
9
O
5
A
10  
A
11  
POWER DOWN  
O
6
A
12  
A
13  
O
7
A
14  
CE  
OE  
OUTPUT ENABLE  
DECODER  
C256A–1  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
April 1995 - Revised November 10, 1997  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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