是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.300 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.36 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流: | 0.02 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.055 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY27C512-120DMB | ROCHESTER |
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OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | |
CY27C512-120DMB | CYPRESS |
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OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | |
CY27C512-120JC | CYPRESS |
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OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C512-120JCR | CYPRESS |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C512-120JI | CYPRESS |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C512-120JIR | CYPRESS |
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OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C512-120JIT | CYPRESS |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C512-120LMB | ETC |
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x8 EPROM | |
CY27C512-120PC | ROCHESTER |
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OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CY27C512-120WI | ROCHESTER |
获取价格 |
64KX8 UVPROM, 120ns, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 |