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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.42 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 45 ns | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 10 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.052 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 6 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY14B101LA-SP20XC | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM |
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| CY14B101LA-SP20XCT | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM |
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| CY14B101LA-SP20XI | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM |
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| CY14B101LA-SP20XIT | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM |
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| CY14B101LA-SP25XC | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM |
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| CY14B101LA-SP25XCT | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM |
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| CY14B101LA-SP25XI | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) |
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| CY14B101LA-SP25XI | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM |
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| CY14B101LA-SP25XIT | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM |
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| CY14B101LA-SP25XIT | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) |
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