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Datasheet > 暂无类别数据> CY14B101LA-SZ25XIT
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CY14B101LA-SZ25XIT

更新时间： 2024-02-02 11:24:51
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 791K
描述
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

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CY14B101LA-SZ25XIT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP32,.4针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.4
最长访问时间：25 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3长度：20.726 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP32,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.54 mm
最大待机电流：0.005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

CY14B101LA-SZ25XIT 数据手册

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PRELIMINARY  
CY14B101LA, CY14B101NA  
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM  
Features  
Functional Description  
■
20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times  
The Cypress CY14B101LA/CY14B101NA is a fast static RAM,  
with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is  
■
Internally Organized as 128K x 8 (CY14B101LA) or 64K x 16  
(CY14B101NA)  
organized as 128K bytes of 8 bits each or 64K words of 16 bits  
each. The embedded nonvolatile elements incorporate  
QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable  
nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write  
cycles, while independent nonvolatile data resides in the highly  
reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the  
nonvolatile elements (the STORE operation) takes place  
automatically at power down. On power up, data is restored to  
the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory.  
Both the STORE and RECALL operations are also available  
under software control.  
■
■
Hands off Automatic STORE on Power Down with only a Small  
Capacitor  
STORE to QuantumTrap Nonvolatile Elements Initiated by  
Software, Device Pin, or AutoStore on Power Down  
■
■
■
■
■
■
■
■
RECALL to SRAM Initiated by Software or Power Up  
Infinite Read, Write, and Recall Cycles  
200,000 STORE Cycles to QuantumTrap  
20 year Data Retention  
Single 3V +20% to -10% Operation  
Commercial and Industrial Temperatures  
54/44-Pin TSOP-II, 48-Pin SSOP, and 32-Pin SOIC Packages  
Pb-free and RoHS Compliance  
Logic Block Diagram[1, 2, 3]  
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Notes  
1. Address A - A for x8 configuration and Address A - A for x16 configuration.  
0
16  
0
15  
2. Data DQ - DQ for x8 configuration and Data DQ - DQ for x16 configuration.  
0
7
0
15  
3. BHE and BLE are applicable for x16 configuration only.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-42879 Rev. *C  
•
198 Champion Court  
•
San Jose  
,
CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised July 09, 2009  
[+] Feedback  
1234567...24

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CY14B101LA-SZ25XIT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY14B101LA-SZ25XI CYPRESS

完全替代

 1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM
STK14CA8-NF25I CYPRESS

完全替代

 128Kx8 AutoStore nvSRAM
STK14CA8-NF25 CYPRESS

完全替代

 128Kx8 AutoStore nvSRAM

与CY14B101LA-SZ25XIT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY14B101LA-SZ45XC CYPRESS

获取价格

 		1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM
CY14B101LA-SZ45XCT CYPRESS

获取价格

 		1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM
CY14B101LA-SZ45XI CYPRESS

获取价格

 		1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM
CY14B101LA-SZ45XIT CYPRESS

获取价格

 		1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM
CY14B101LA-ZS20XC CYPRESS

获取价格

 		1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM
CY14B101LA-ZS20XCT CYPRESS

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 		1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM
CY14B101LA-ZS20XI CYPRESS

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 		1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM
CY14B101LA-ZS20XI INFINEON

获取价格

 		nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14B101LA-ZS20XIT CYPRESS

获取价格

 		1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM
CY14B101LA-ZS20XIT INFINEON

获取价格

 		nvSRAM (non-volatile SRAM)

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